Вакуумные установки для напыления покрытий серий Ника-2012 и Ника-2013

    Доклад заместителя директора по науке Григорьева Василия Юрьевича на 22-й Всероссийской научно-технической конференции «Вакуумная Техника и Технологии – 2015», (ЛЭТИ, Санкт-Петербург), посвященный вакуумным установкам для напыления покрытий Ника-2012 и Ника-2013. 

    Вакуумные установки серий Ника-2012 и Ника-2013

    ВТТ 2015

    Санкт-Петербург

    Берлин Е. В., Григорьев В. Ю.

    Серия «Ника-2012»

    Современный аналог колпаковых машин серии УВН-71.

    Состав: Камера нерж. Ø400х350 / Ø500х400 мм с рубашкой охлаждения.

    Безмасляная откачка (ТМН / КГН).

    Площадь в плане 2 м2,, с зоной обслуживания - 3 м2.

    Подвижный нижний фланец: 4 позиции ISO63 для устройств на выбор

    Плоская карусель для односторонней обработки (6 круглых подложек Ø100 мм / 12 прямоугольных 60х48 мм) или система с переворотом подложек для двусторонней. Быстрая замена карусели под различные подложки.

    Верхний фланец: 5 отверстий ISO63, возможна установка нагревателя и кварцевого измерителя толщины покрытий.

    3 смотровых окна с заслонками, возможна замена на фланец ISO160 с дополнительным оборудованием.

    Современный аналог колпаковых машин серии УВН-71

    Напылительные установки Ника-2012

    Установка ионного напыления Ника-2012 ИН

    Назначение: Шлюзовая установка с индивидуальной загрузкой для напыления плёнок произвольного состава (металлы, диэлектрики, полупроводники). Контролируемое нанесение многослойных покрытий в произвольной программируемой последовательности с 6 мишеней.

    Ассистирование процесса нанесения плазмой высокой плотности (IPVD). Нанесение как в среде инертного газа, так и с реактивными процессами напыления соединений. Подложки до d100 мм.

    Технологии: Ионно-лучевое распыление проводников и диэлектриков, катодное распыление проводников, реактивное напыление диэлектриков, ионное осаждение.

    Установка ионного напыления Ника-2012 ИН

    Напылительные установки Ника-2012

    Установка термического напыления Ника-2012 ТН

    Назначение: термическое напыление материалов с предварительной ионной очисткой и магнетронным напылением подслоя.

    Технологии: ионная очистка подложек, в том числе низкоэнергетическая (энергия ионов до 40 эВ); магнетронное напыление подслоя с высокой адгезией; восстановительная обработка в водородной плазме; сухое снятие фоторезиста травлением в кислородной или водородной плазме; контроль толщины наносимого слоя по свидетелю сопротивления, кварцевому измерителю толщины либо по времени; термическое напыление проводящих и резистивных слоёв.

    Установка термического напыления Ника-2012 ТН

    Напылительные установки Ника-2012

    Установка напыления резистивных слоев Ника-2012 РС

    Назначение: напыление резистивных слоев, ионно-плазменная очистка и травление, плазмохимическое («сухое») снятие фоторезиста.

    Технологии:Магнетронное распыление металлических и силицидных мишеней. Ионная очистка и травление слоёв. Сухое снятие фоторезиста. Нанесение защитных диэлектрических покрытий поверх резистивного слоя. Напыление/травление заданного номинала по свидетелю сопротивления.

    Установка напыления резистивных слоев Ника-2012 РС

    Напылительные установки Ника-2012

    Установка напыления проводящих слоев Ника-2012 ПС

    Назначение: Установка для нанесения толстых металлических слоёв методом магнетронного распыления (термовакуумного испарения в магнетронном разряде) на керамические подложки. Для обеспечения адгезии проводящего слоя предусмотрено напыление металлического (Cr, Ti, Ta) / диэлектрического подслоя. В последнем случае обеспечивается минимальные резистивные потери в СВЧ схемах.

    Технологии: Ионная очистка подложек. Магнетронное распыление металлических мишеней. Магнетронное распыление магнитных материалов (Ni). Термовакуумное испарение в магнетронном разряде с высокой скоростью нанесения (до 1 мкм/мин на вращающуюся карусель, до 60 мкм полной толщины на всю загрузку). Напыление диэлектрического подслоя (опционально). Опционально – восстановительная обработка в водородной плазме, заменяющая высокотемпературный отжиг, а также травление органических материалов.

    Установка напыления проводящих слоев Ника-2012 ПС

    Плазмохимические установки Ника-2012

    Установка магнетронного осаждения/травления Ника-2012 МО/МТ

    Назначение: Установка для ионной и плазмохимической обработки подложек в среде высокоплотной плазмы. Подложки размещаются с 2 сторон на плоском водоохлаждаемом электроде с гелиевым теплоотводом, вокруг которого в среде инертных или химически активных газов зажигается высокочастотный магнетронный разряд с высокой однородностью плотности ионного тока. Размер зоны обработки на каждой стороне — 200х200 мм. Подложки от 25 до 200 мм.

    Технологии: Плазмостимулированное осаждение из газовой фазы (PECVD) диэлектрических слоев различных материалов в атмосфере кремнийсодержащих газов высокочастотном магнетронном разряде. Плазмохимическое травление материалов в кислородной, водородной или фторной плазме. Ионное травление металлических слоёв в плазме аргона. Скорость травления по меди – до 0,4 мкм/мин, ограничена только предельной температурой подложки.

    Установка магнетронного осаждения/травления Ника-2012 МО/МТ
    Технологические устройства для Ника-2012

    Серия «Ника-2013»

    Современный аналог машин серий УВН-73..75. Промышленные установки большой производительности.

    Состав: Цилиндрическая камера с горизонтальной осью из нержавеющей стали Ø700х500 мм с рубашкой охлаждения. Безмасляная откачка (КГН / ТМН, сухой спиральный насос). Система горизонтального перемещения фланцев для удобства перегрузки и обслуживания. Сменный комплект носителей для снижения затрат времени на перезагрузку. 2.5 м2 в плане.

    Задний фланец: 7 позиций ISO63 для технологических устройств: до 4 магнетронов, нагреватель, ионный источник. Передний фланец: барабан диаметром 600 мм с горизонтальной осью, автоматическая система привода заслонок. Обработка с однородностью не хуже 2%. Возможность установки до 4 окон с заслонками. Вместо любого из окон можно установить фланец ISO100 для дополнительного оборудования. Загрузка: 128 прямоугольных подложек 60x48 / 48 круглых Ø100.

    Современный аналог машин серий УВН-73..75. Промышленные установки большой производительности

    Самая компактная установка в своём классе

    Напылительные установки Ника-2013

    Установки магнетронного напыления Ника-2013 РС и Ника-2013 ПС

    Назначение: напыление резистивных, диэлектрических или проводящих слоёв, ионная очистка и травление

    Технологии: Магнетронное распыление металлических и силицидных мишеней. Нанесение слоёв сложного состава сонапылением из двух мишеней. Ионная очистка и травление слоёв. Нанесение защитных диэлектрических покрытий поверх резистивного слоя. Напыление/травление заданного номинала по свидетелю сопротивления. Сверхскоростное термовакуумное напыление в магнетронном разряде.

    Состав: Барабан для одностороннего нанесения. До 4 магнетронов для напыления подслоя, резистивного слоя или проводящего (из металлических или силицидных мишеней) и защитного слоя. Источник ионов для активации подложек и травления слоёв. Нагреватель с функцией поддержания заданной температуры. 3..4 канала подачи рабочих газов.

    Установки магнетронного напыления Ника-2013 РС и Ника-2013 ПС

    Плазмохимические установки Ника-2013

    Установка магнетронного осаждения/травления Ника-2013 МО/МТ

    Назначение: Установка для ионной и плазмохимической обработки подложек в среде высокоплотной плазмы. Подложки размещаются на внешней поверхности шестигранного электрода с гелиевым теплоотводом, снаружи которого в среде инертных или химически активных газов зажигается высокочастотный магнетронный разряд с высокой однородностью плотности ионного тока. Размер зоны обработки на каждой грани — 300х300 мм. Подложки от 25 до 300 мм.

    Технологии: Плазмостимулированное осаждение из газовой фазы (PECVD) диэлектрических слоев различных материалов в атмосфере кремнийсодержащих газов в высокочастотном магнетронном разряде. Плазмохимическое травление материалов в кислородной, водородной или фторной плазме. Ионное травление металлических слоёв в плазме аргона. Скорость травления по меди – до 0,4 мкм/мин, ограничена только предельной температурой подложки.

    Состав: Плазмохимический реактор специальной конструкции. До 4 каналов газонапуска.

    Установка магнетронного осаждения/травления Ника-2013 МО/МТ
    Технологические устройства для Ника-2013