Установка плазмохимического травления Ника-2014 ПХТ

    Назначение: Плазмохимическое травление полупроводников и диэлектриков в среде высокоплотной плазмы.

    Технологии: 

    травление микроструктур в полупроводниковом производстве, MEMS технологии, оптике. 

    скорость травления по кремнию — до 40 мкм/мин, GaAs – до 40 мкм/мин, SiO2 – до 6 мкм/мин.

    глубокое травление кремния с вертикальным профилем стенок и большим аспектным отношением.

    Состав:

    генератор плазмы РПГ-250;

    охлаждаемый стол (гелиевый теплоотвод) с подачей высокочастотного смещения;

    оптическая система контроля скорости и глубины травления. 


    2 комментарии

    • Комментировать Андрей Воскресенье, 20 Ноябрь 2016 08:21 написал Андрей

      Здравствуйте, не могли бы вы предоставить цены на установки?

    • Комментировать Василий Григорьев Среда, 23 Ноябрь 2016 12:19 написал Василий Григорьев

      Добрый день!
      Цены на какие именно установки Вас интересуют? В зависимости от назначения и комплектации они могут весьма существенно отличаться.