Установка магнетронного осаждения/травления Ника-2013 МО/МТ

    Установка для ионной и плазмохимической обработки подложек в среде высокоплотной плазмы.  

    Назначение: Подложки размещаются на внешней поверхности шестигранного электрода с гелиевым теплоотводом, cнаружи которого зажигается высокочастотный магнетронный разряд с высокой однородностью плотности ионного тока. Разряд в среде инертных или химически активных газов. Размер зоны обработки на каждой грани  — 300х300 мм. Подложки от 25 до 300 мм.

    Технологии:

    плазмостимулированное осаждение из газовой фазы (PECVD) диэлектрических слоев различных материалов в атмосфере кремнийсодержащих газов в высокочастотном магнетронном разряде;

    плазмохимическое травление материалов в кислородной, водородной или фторной плазме;

    ионное травление металлических слоёв в плазме аргона. Скорость травления по меди – до 0,4 мкм/мин, ограничена только предельной температурой подложки.

    Состав: 

    плазмохимический реактор специальной конструкции;

    до четырёх каналов подачи рабочих газов.