Установка для ионной и плазмохимической обработка подложек в среде высокоплотной плазмы.
Назначение: Подложки размещаются с 2 сторон на плоском водоохлаждаемом электроде с гелиевым теплоотводом, вокруг которого зажигается высокочастотный магнетронный разряд с высокой однородностью плотности ионного тока. Разряд в среде инертных или химически активных газов.Размер зоны обработки на каждой стороне — 200х200 мм. Подложки от 25 до 200 мм.
Технологии:
- плазмостимулированное осаждение из газовой фазы (PECVD) диэлектрических слоев различных материалов в атмосфере кремнийсодержащих газов высокочастотном магнетронном разряде;
- плазмохимическое травление материалов в кислородной, водородной или фторной плазме;
- ионное травление металлических слоёв в плазме аргона. Скорость травления по меди – до 0,4 мкм/мин, ограничена только предельной температурой подложки.
Состав:
- плазмохимический реактор специальной конструкции;
- до четырёх каналов подачи рабочих газов.
Установка предназначена для ионно-плазменной обработки плоских подложек в среде газоразрядной плазмы с целью реализации следующих процессов: ионное травление в среде инертных газов, плазмохимическое травление, плазмастимулированное осаждение из газовой фазы (PECVD). Установка монтируется на основе универсального вакуумного поста Ника-2012.
Ионно-плазменная обработка - технологический процесс, основанный на бомбардировке поверхности подложки ионами, поступающими из плазмы газового разряда. В Нике-2012 МО/МТ используется газовый разряд в скрещенных полях, обеспечивающий возможность получения значительных плотностей ионного тока и управление энергией ионов.
Равномерность обработки не хуже ±2% в прямоугольной области 200х200 мм. Возможна одновременная обработка двух подложек с диаметром 200 мм, 8 диаметром 100 мм.
