Установка термического напыления Ника-2012 ТН

    Nika-2012-ts Nika-2012-ts

    Назначение: термическое напыление материалов с предварительной ионной очисткой и магнетронным напылением подслоя.

    Технологии: 

    ионная очистка подложек, в том числе низкоэнергетическая (энергия ионов до 40 эВ);

    магнетронное напыление подслоя с высокой адгезией;

    восстановительная обработка в водородной плазме;

    сухое снятие фоторезиста травлением в кислородной или водородной плазме;

    контроль толщины наносимого слоя по свидетелю сопротивления, кварцевому измерителю толщины либо по времени;

    термическое напыление проводящих и резистивных слоёв.

    Состав: 

    ионный источник для очистки подложек, либо генератор плазмы, позволяющий дополнительно осуществлять восстановительную обработку в водородной плазме, заменяющую высокотемпературный отжиг, а также травление органических материалов;

    магнетрон для напыления подслоя (Cr, Ti, Ta);

    один или два резистивных термических испарителя для напыления функциональных слоёв;

    карусель для одностороннего или двустороннего напыления с возможностью быстрой замены одной на другую;

    кварцевый измеритель толщины напыляемого слоя (опционально);

    три канала напуска рабочих газов;

    нагреватель (опционально).