Ника-2012

    Серия «Ника-2012»: современный аналог колпаковых машин серии УВН-71. Камера из нержавеющей стали Ø400х350 либо Ø500х400 мм с рубашкой охлаждения. Интегральное бесстоечное исполнение. Безмасляная откачка (турбомолекулярный или криогенный насос). Площадь с зоной обслуживания – 3 м2, в плане — 2 м2.

    Подвижный нижний фланец: 4 позиции ISO63 для устройств на выбор: магнетроны, ионный источник, генератор плазмы, термические испарители. Плоская карусель для односторонней обработки (6 круглых подложек Ø100 мм, либо 12 – прямоугольных 60х48 мм), либо система с переворотом подложек — для двусторонней. Быстрая замена карусели под различные подложки. Заслонка с автоматическим приводом.

    Верхний фланец: предусмотрена возможность установки нагревателя и кварцевого измерителя толщины покрытий. 5 отверстий ISO63.

    3 смотровых окна, оборудованных заслонками. Вместо любого окна может устанавливаться фланец ISO160 с дополнительным оборудованием.

    Электропитание: 380В, 50 Гц, 8..15 кВт. 

    Габариты: 850..1415 х 900..1100 х 1750..1900. 

    Масса: 300..600 кг.

    В серии «Ника-2012» для решения типовых задач разработаны следующие базовые конфигурации: напылительные установки ИН (ионное напыление), РС (напыление резистивных слоев), ПС (напыление проводящих слоев), ТН (термическое напыление),  и плазмохимические МО/МТ (магнетронное осаждение/травление).

    Похожие материалы (по тегу)

     


    Шлюзовая установка для контролируемого нанесения многослойных покрытий из шести проводящих или диэлектрических мишеней в произвольном порядке с ассистированием процесса нанесения плазмой высокой плотности (IPVD). Возможно нанесение как в среде инертного газа, так и реактивные процессы напыления соединений.  Назначение: напыление плёнок произвольного состава (металлы, диэлектрики, полупроводники) на подложки до 100 мм диаметром с контролем толщины с помощью кварцевого измерителя. В автоматическом режиме напыляется неограниченное количество слоев из шести различных мишеней в программируемой последовательности. Установка шлюзовая с индивидуальной загрузкой подложек. Подложка размещена…
    Назначение: термическое напыление материалов с предварительной ионной очисткой и магнетронным напылением подслоя. Технологии:  ионная очистка подложек, в том числе низкоэнергетическая (энергия ионов до 40 эВ); магнетронное напыление подслоя с высокой адгезией; восстановительная обработка в водородной плазме; сухое снятие фоторезиста травлением в кислородной или водородной плазме; контроль толщины наносимого слоя по свидетелю сопротивления, кварцевому измерителю толщины либо по времени; термическое напыление проводящих и резистивных слоёв. Состав:  ионный источник для очистки подложек, либо генератор плазмы, позволяющий дополнительно осуществлять восстановительную обработку в водородной…
    Назначение: напыление резистивных слоев, ионно-плазменная очистка и травление, плазмохимическое («сухое») снятие фоторезиста. Технологии: магнетронное распыление металлических и силицидных мишеней; ионная очистка и травление слоёв; сухое снятие фоторезиста; нанесение защитных диэлектрических покрытий поверх резистивного слоя; напыление/травление заданного номинала по свидетелю сопротивления. Состав: карусель на 12 прямоугольных подложек 60х48 или 6 – круглых Ø100 мм для одностороннего нанесения; магнетрон для напыления подслоя; один или два магнетрона для напыления резистивного слоя (из металлических или силицидных мишеней); источник ионов для активации подложек и травления…
    Установка для нанесения толстых металлических слоёв методом магнетронного распыления.  Назначение: нанесение толстых металлических слоёв методом термовакуумного испарения в магнетронном разряде на керамические подложки. Для обеспечения адгезии проводящего слоя предусмотрено напыление металлического (Cr, Ti, Ta) или диэлектрического подслоя. В последнем случае обеспечивается минимальные резистивные потери в СВЧ схемах.
    Установка для ионной и плазмохимической обработка подложек в среде высокоплотной плазмы.   Назначение: Подложки размещаются с 2 сторон на плоском водоохлаждаемом электроде с гелиевым теплоотводом, вокруг которого зажигается высокочастотный магнетронный разряд с высокой однородностью плотности ионного тока. Разряд в среде инертных или химически активных газов.Размер зоны обработки на каждой стороне — 200х200 мм. Подложки от 25 до 200 мм. Технологии: плазмостимулированное осаждение из газовой фазы (PECVD) диэлектрических слоев различных материалов в атмосфере кремнийсодержащих газов высокочастотном магнетронном разряде; плазмохимическое травление материалов…
    Установка магнетронного напыления НИКА-2012-500 - полный функциональный аналог установок серии УВН-71, отличается от других установок серии увеличенной цилиндрической камерой 500х400 мм. Предназначена для магнетронного и термического напыления, ионного травления, плазмохимических процессов.   Установка магнетронного напыления НИКА-2012-500 имеет в составе 4 технологических устройства в зависимости от назначения (магнетрон, термический испаритель, источник ионов, генератор плазмы). Сухая откачка на основе криогенного или турбомолекулярного насоса.   Базовые технические характеристики установок Ника-2012-500 следующие: 380В, 50 Гц, 24 кВт; габариты: 1020 х 1450 х 1900, внутренний…