Nika-2012 MO/MT Magnetron Sputtering/Etching Machine (MEMD)

    A plant for ion and plasmachemical treatment of substrates in high-density plasma medium.

    Purpose: Substrates are placed on both sides of a flat water-cooled electrode with a helium heat removal. A high-frequency magnetron discharge with a highly uniform ion current density is ignited around it. Discharge in inert or chemically active gas medium. The treatment zone dimensions at each side are 200 x 200 mm. Substrate size: 25 to 200 mm.

    Processes:

    • plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of dielectric layers of various materials by high-frequency magnetron discharge in an atmosphere of silicon-containing gases;

    • plasmachemical etching of materials in oxygen, hydrogen or fluoride plasma;

    • ion etching of metal layers in argon plasma. Copper etching rate: up to 0.4 µm/min, limited only by the maximum substrate temperature.

    Configuration:

    • custom-made plasmachemical reactor;

    • up to 4 plasma-forming gas supply ducts

    Установка предназначена для ионно-плазменной обработки плоских подложек в среде газоразрядной плазмы с целью реализации следующих процессов: ионное травление в среде инертных газов, плазмохимическое травление, плазмастимулированное осаждение из газовой фазы (PECVD). Установка монтируется на основе универсального вакуумного поста Ника-2012.

    Ионно-плазменная обработка - технологический процесс, основанный на бомбардировке поверхности подложки ионами, поступающими из плазмы газового разряда. В Нике-2012 МО/МТ используется газовый разряд в скрещенных полях, обеспечивающий возможность получения значительных плотностей ионного тока и управление энергией ионов.

    Равномерность обработки не хуже ±2% в прямоугольной области 200х200 мм. Возможна одновременная обработка двух подложек с диаметром 200 мм, 8 диаметром 100 мм.